Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Реферативна база даних (16)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Semkiv I$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 11
Представлено документи з 1 до 11
1.

Kashuba A. I. 
Photoluminescence in the solid solution In0.5Tl0.5I [Електронний ресурс] / A. I. Kashuba, Ya. A. Zhydachevskyy, I. V. Semkiv, A. V. Franiv, O. S. Kushnir // Ukrainian journal of physical optics. - 2018. - Vol. 19, № 1. - С. 1-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2018_19_1_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 780.519 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Petrus R. 
Surface-barrier Structures Au/n-CdS: Fabrication and Electrophysical Properties [Електронний ресурс] / R. Petrus, H. Ilchuk, A. Kashuba, I. Semkiv, E. Zmiiovska, F. Honchar, R. Lys // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 3. - С. 03020-1-03020-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_3_22
Попередній перегляд:   Завантажити - 561.342 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Semkiv I. 
Confession as a psychotherapeutic tool to work with ego inflation [Електронний ресурс] / I. Semkiv // MHGC Proceedings. - 2018. - 2018. - С. 83-84. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MHGC_2018_2018_39
Попередній перегляд:   Завантажити - 254.689 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Rybak O. V. 
Growth and Properties of Cd-doped PbI2 Crystals [Електронний ресурс] / O. V. Rybak, I. V. Semkiv, M. V. Chekailo // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 1. - С. 01019-1-01019-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_1_21
Кристалізацією з парової фази у закритій системі за тиску парів надстехіометричного йоду одержано монокристали PbI2 з вмістом кадмію 0,001 - 10 ат. %. Досліджено вплив концентрації кадмію у вихідній шихті і температурного градієнта на швидкість масоперенесення в системі та характеристики кристалів. Введення у систему PbI2 - I2 кадмію в діапазоні концентрацій від 0,001 до 0,5 ат. % за оптимальних умов вирощування чистих кристалів PbI2 зменшує швидкість масоперенесення не більше ніж на 2 %, концентрація Cd у вирощених монокристалах одного порядку з їх вмістом у вихідній шихті. Збільшення вмісту домішки у шихті від 0,5 до 5,5 ат. % зменшує швидкість масоперенесення вдвічі, вміст кадмію у монокристалах у 5 разів нижчий, ніж у шихті, розміри монокристалів зменшуються. Зниження температурного градієнта в системі надало змогу одержати кристали PbI2 з вмістом кадмію до 10 ат. %. Легування Cd сприяє росту монокристалів переважно у формі пластин і стрічок. За спектрами дифракції X-променів встановлено, що одержані монокристали PbI2 належать до 4H-політипу, визначено параметри гратки і об'єм елементарної комірки чистих і легованих кристалів. Встановлено вплив домішки Cd на спектри поглинання PbI2. Зростання вмісту кадмію у кристалах до 3 ат. % супроводжується короткохвильовим зсувом краю власного поглинання і збільшенням ширини забороненої зони.
Попередній перегляд:   Завантажити - 482.403 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Ilchuk H. 
Optical Properties of CdMnTe Film: Experimental and Theoretical Aspects [Електронний ресурс] / H. Ilchuk, E. Zmiiovska, R. Petrus, I. Semkiv, I. Lopatynskyi, A. Kashuba // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 1. - С. 01027-1-01027-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_1_29
Тонкі плівки CdTe є представниками кристалічної групи A<^>IIB<^>VI і демонструють поведінку напівпровідників. Вони є важливим напрямком досліджень через широке застосування в різних галузях оптоелектронних пристроїв. Краща можливість керувати в широкому енергетичному діапазоні, наприклад, шириною забороненої зони Eg для практичних застосувань існує за зміни вмісту CdTe - MnTe (від Eg = 1,46 еВ для CdTe до Eg = 3,1 еВ для MnTe). Названі сполуки можуть розглядатися як особливий клас бінарних напівпровідних сполук, що мають перспективні оптичні параметри. Плівки Cd1-xMnxTe одержано за допомогою методу квазізамкненого об'єму. Осадження плівок проводилось з полікристалічного порошку Cd0,88Mn0,12Te на підкладку слюди. З аналізу дифрактограми для Cd1-xMnxTe встановлено, що плівка є однофазною. Фаза - сполука CdTe (структурний тип - ZnS, просторова група - F43m). Детальний аналіз положення експериментальних рефлексів та їх інтенсивностей у порівнянні із теоретичними засвідчив дуже сильну переважну орієнтацію зерен фази Cd1-xMnxTe у синтезованій плівці (текстуру). Спостережено рефлекси від площин з індексами Міллера hkl (xyz). Включення манганової компоненти є причиною збільшення параметрів гратки (у порівнянні з вихідним з'єднанням CdTe/слюда). З аналізу EDS було встановлено, що композиційний склад плівки становить Cd0,096Mn0,04Te. Уточнено параметр елементарної комірки a = 0,6485(3) нм і V = 0,2727(3) нм<^>3. Наведено результати дослідження спектрів пропускання та відбиття структури Cd0,96Mn0,04Te/слюда. Спектри пропускання та відбиття плівки демонструють періодичні коливання, які викликані особливістю підкладки. Спектральна залежність оптичного поглинання плівок Cd0,96Mn0,04Te у координатах (ahv)<^>2 - hv демонструє наявність основної грані поглинання. Найменше значення ширини забороненої зони для плівки Cd0,96Mn0,04Te становить 1,465 еВ і характеризується прямим міжзонним оптичним переходом. В межах методу псевдопотенціалу теоретично вивчено динаміку зміни параметрів електронної підсистеми Cd1-xMnxTe. З використанням співвідношень Крамерса - Кроніга одержано діелектричну проникність, спектр відбиття та спектральну залежність показника заломлення. Теоретичні й експериментальні результати задовільно корелюють між собою.
Попередній перегляд:   Завантажити - 549.512 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Ilchuk H. 
Influence of phase transitions on the temperature behavior of photoluminescence spectra in a (N(CH3)4)2MnCl4 crystal [Електронний ресурс] / H. Ilchuk, A. Kashuba, I. Kuno, S. Sveleba, T. Malyi, R. Petrus, V. Tsiumra, I. Semkiv // Восточно-Европейский журнал передовых технологий. - 2020. - № 4(12). - С. 24-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Vejpte_2020_4(12)__4
Монокристалічні зразки (N(CH3)4)2MnCl4 вирощено з водного розчину шляхом повільного випаровування солей за кімнатної температури. Вивчено вплив фазових переходів на температурну поведінку спектрів фотолюмінесценції (ФЛ), а також спектрів збудження та часу затухання смуги свічення 539 нм. Досліджено спектри свічення ФЛ полікристалічного зразка (N(CH3)4)2MnCl4. Виявлено смугу свічення, локалізовану за 520 нм, яка викликана свіченням іона Mn<^>2+ і відповідає переходу <$E roman {nothing sup 4 T sub 1~symbol О~nothing sup 6 A sub 1}>. Температурна поведінка спектрів ФЛ (4,5 - 300 K) кристала (N(CH3)4)2MnCl4 проявляє аномалії їх параметрів у точках фазових переходів. Температурні залежності спектрів ФЛ кристала (N(CH3)4)2MnCl4 підтверджують наявність фазових переходів в інтервалі температур від 100 до 300 K. Наведено спектри збудження для смуги люмінесценції 539 нм та їх температурну поведінку (4,5 - 300 K). Смуги розташовані близько 2,93 і 2,96 эВ швидко гасяться з температурою, так що за температур вище 170 і 270 K смуги 2,96 і 2,93 эВ не спостерігається, відповідно. Піки в спектрах збудження відповідають електронним переходам від основного стану <^>6A1 Mn<^>2+ до різних збуджених станів <$E roman {MnCl sub 4 sup 2- (T sub d )}>. Їх енергії збудження пояснюються на базі моделі кристалів за допомогою діаграм Танабе - Сугано. Параметри Рака B і C, а також розщеплення кристалічного поля <$E DELTA> розраховано на базі Танабе - Сугано діаграм для d<^>5 електронної конфігурації. Досліджено температурну поведінку часу загасання смуги фотолюмінесценції 539 нм. Отриманий час загасання смуги ФЛ зростає з ростом температури. Кінетика загасання смуги ФЛ 539 нм добре описується експоненційною залежністю.
Попередній перегляд:   Завантажити - 2.45 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Ilchuk H. A. 
Electronic band structure of cubic solid-state CdTe1–xSex solutions [Електронний ресурс] / H. A. Ilchuk, B. Andriyevsky, O. S. Kushnir, A. I. Kashuba, I. V. Semkiv, R. Yu. Petrus // Ukrainian journal of physical optics. - 2021. - Vol. 22, № 2. - С. 101-109. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UJPO_2021_22_2_7
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.785 Mb    Зміст випуску     Цитування
8.

Kashuba A. I. 
Optical and Dispersion Parameters of the Al-doped ZnO Thin Film [Електронний ресурс] / A. I. Kashuba, B. Andriyevsky, H. A. Ilchuk, R. Yu. Petrus, T. S. Malyi, I. V. Semkiv // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04006-1-04006-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_8
Представлено результати досліджень дисперсії параметрів та оптичних функцій для тонкої плівки оксиду цинку, легованої алюмінієм. Осадження тонких плівок ZnO, легованих Al (2,5 мас. %), виконувалось за методом високочастотного магнетронного напилення. Тонка плівка ZnO:Al кристалізується в гексагональній структурі (тип структури ZnO, просторова група P63mc(No.186), з параметрами елементарної комірки <$Ea~=~3,226(2)~roman A back 45 up 35 symbol Р> і <$Ec~=~5,155(6) )~roman A back 45 up 35 symbol Р> (<$EV~=~46,49(6) )~roman A back 45 up 35 symbol Р sup 3>. Спектри оптичного пропускання (300 - 2500 нм) показали, що тонка плівка ZnO:Al має високу оптичну якість, а значення величини оптичної ширини забороненої зони (3,26 еВ) є дуже близьким до нелегованих зразків. Встановлено спектральну поведінку оптичних функцій: показника заломлення, коефіцієнта екстинкції, показника поглинання, діелектричних функції та оптичної провідності. Встановлено значення енергії Урбаха та залежність сили осцилятора від оптичної ширини забороненої зони та концентрації легуючого елемента. Спостерігається збільшення енергії Урбаха для легованої Al тонкої плівки ZnO у порівнянні з нелегованою. Для досліджуваної тонкої плівки виявлено майже подвійне збільшення значення сили оптичного осцилятора у порівняні із нелегованими зразками. Вплив легування алюмінієм тонких плівок ZnO на динаміку зміни оптичної рухливості, оптичного опору та часу релаксації встановлено вперше для досліджуваної сполуки. Також визначається значення плазмової частоти та її кореляція з концентрацією носіїв. Легування тонких плівок ZnO алюмінієм призводить до збільшення оптичної рухливості, часу релаксації та плазмової частоти, що було виявлено порівнянням з відомими даними для нелегованих тонких плівок ZnO. Виявлені оптичні властивості досліджуваної тонкої плівки вказують на перспективи її практичного використання як матеріалу для оптоелектронних пристроїв.
Попередній перегляд:   Завантажити - 783.138 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
9.

Semkiv I. 
Linguistic and Psychometric Validation of the Ukrainian Translation of the Inventory of Personality Organization-Revised (IPO-R-UKR) [Електронний ресурс] / I. Semkiv, K. Turetska, I. Kryvenko, R. Kechur // East european journal of psycholinguistics. - 2022. - Vol. 9, Iss. 1. - С. 176-192. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejps_2022_9_1_14
Попередній перегляд:   Завантажити - 721.02 Kb    Зміст випуску     Цитування
10.

Shyshkovskyi S. 
Research of the development of the electronic industry and economy on the example of Ukraine [Електронний ресурс] / S. Shyshkovskyi, I. Semkiv, A. Kashuba // Technology audit and production reserves. - 2022. - № 5(4). - С. 22–25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Tatrv_2022_5(4)__5
Попередній перегляд:   Завантажити - 763.571 Kb    Зміст випуску     Цитування
11.

Semkiv I. V. 
Ab initio Studies of Elastic Properties of CdSe1 – xSx Solid State Solution [Електронний ресурс] / I. V. Semkiv, A. I. Kashuba, H. A. Ilchuk, B. Andriyevsky, N. Yu. Kashuba, M. V. Solovyov // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - Vol. 15, no. 2. - С. 02014-1-02014-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2023_15_2_16
Досліджено пружні властивості твердого розчину CdSe1 - xSx (x = 0 - 1, за <$EDELTA x~=~0,25>) у межах розрахунків теорії функціоналу густини. Структури зразків CdSe1 - xSx одержано заміщенням сірки на атоми селену в гексагональному CdS. Модуль Юнга, модуль зсуву, об'ємний модуль і коефіцієнт Пуассона кристалів CdSe1 - xSx було розраховано з перших принципів. Проаналізовано залежності пружних властивостей твердого розчину CdSe1 - xSx від показника вмісту x на інтервалі <$E0~symbol Г~x~symbol Г~1>. Відповідно до правила Францевича та значення коефіцієнта Пуассона матеріали було класифіковано як пластичні. Коефіцієнт анізотропії Зенера та параметр Клеймана розраховуються на основі пружних констант Cij. Також розраховано концентраційну залежність швидкості поздовжньої пружної хвилі, швидкості поперечної пружної хвилі та середньої швидкості звуку. На основі середньої швидкості звуку було розраховано концентраційну поведінку температури Дебая. Кореляційний аналіз показує збіг результатів розрахунку (модуля пружності та температури Дебая) з відомими експериментальними даними в межах похибки.
Попередній перегляд:   Завантажити - 700.769 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського